第446章 挖坑日月光，高通老董请雷董洗脚？

现在的形势就是如此，今年猥琐发育，明年拿到1970i再说。

有了1970iDUV光刻机，通过多重曝光技术，就能实现7纳米，甚至5纳米工艺，量产7nm，甚至5纳米芯片！

其中，1970i就是底线。

然而，之前星逸半导体买的光刻机，大都是1950i。

由于王逸买得多，每次下单都是几十台，都是上百亿的大单，以及胡老的面子，阿斯麦最近才开始交付1960i。

并且在明年，开始交付1970i！

EUV光刻机用了大量的M技术。

没有FinFET，全球半导体不知道还会在20纳米工艺卡上多少年。

是胡老的FinFET，让16纳米、14纳米，10纳米，都有了可能。

因此，没有谁能比胡老更懂FinFET，更懂得如何突破20纳米，如何做14纳米，做10纳米！

可以说，跟着王逸，胡老有希望成为14纳米，甚至10纳米的奠基人！

而有了胡老，星逸半导体在14纳米，10纳米领域，也有了弯道超车，追赶甚至超越台积电、三星、英特尔的可能！

阿斯麦会封锁。

但DUV光刻机用的M技术不多，也不是最先进的，目前也没有封锁。

哪怕多年后，也只是封锁EUV光刻机，以及2000i以上的DUV光刻机。

直到2024年，M狗急跳墙，连1970i和1980di都要封杀。

理由就是这两款光刻机通过多重曝光之后，能够实现7nm，甚至5纳米，威胁甚大！

双方互相成就！

但再往下，那就难了。

一来，7纳米以下的制程需要EUV光刻机。

哪怕是多重曝光技术，能够用DUV光刻机量产7纳米芯片，甚至5纳米芯片，也需要高端的DUV光刻机！

比如1970i，1980Di，2000i，以及更高端的机型。