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第263章 全球海底矿产地图

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新材料自然有江远的科技定向进化配合钱欧皇解决,光刻机技术如今也有了眉目,那么跨时代的新一代CPU已经近在眼前了!

结果工业界又搞出了finfet和FD-SOI,前者用立体结构取代平面器件来加强栅极的控制能力,后者用氧化埋层来减小漏电。

3年前他们觉得7nm工艺是极限,因为到了7nm节点即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电。

后来工业界用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能。

于是极限变成了5nm。

英特尔肯定已经掌握了一种新晶圆材料,所以才会向ASML发出5nm光刻机的订单。

最近两三年业界一直在喊,5nm是晶圆的极限,再低就是量子效应的领域了。

实际上,这话也对也不对,就看怎么理解。

5nm并非CPU的极限,只是现在的晶圆材料的极限罢了。

其实所谓的极限早在十几年前就有人喊了。

10年前他们觉得65nm工艺是极限。

所以说,极限说根本就是哗众取宠。

当然,硅基芯片终归是有极限的,只是目前的CPU行业暂时还远远达不到硅基的极限。

就算真的到了硅基极限,待选的新材料也不少,比如石墨烯和碳纳米管,都是很有希望的新方向。

想要制造出更短制程的芯片,不仅材料工艺要过关,光刻机的分辨率也是很重要的参数。

如果光刻机无法曝出这么细的线条,那么再好的技术也是白搭。

因为到了65nm节点二氧化硅绝缘层漏电已经不可容忍。

后来工业界搞出了HKMG,用high-k介质取代了二氧化硅,传统的多晶硅-二氧化硅-单晶硅结构变成了金属-highK-单晶硅结构。

65nm极限说直接告破。

5年前他们又觉得22nm工艺是极限。

因为到了22nm沟道关断漏电已经不可容忍。

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